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簡要描述：產(chǎn)品咨詢 龔經(jīng)理 I8721868497 VX同號美國 Universitywafer 雙面拋光 硅晶圓我們提供大量超平雙面拋光優(yōu)質(zhì)和測試級硅晶片，涵蓋各種直徑、厚度、方向和電阻率。我們的總厚度變化庫存中只有 1 微米的 TTV。
產(chǎn)品型號：6971廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2026-07-10訪 問 量：114
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詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
產(chǎn)品咨詢 龔經(jīng)理 I8721868497 VX同號
美國 Universitywafer 雙面拋光 硅晶圓
美國 Universitywafer 雙面拋光 （DSP） 硅晶片
我們提供大量超平雙面拋光優(yōu)質(zhì)和測試級硅晶片，涵蓋各種直徑、厚度、方向和電阻率。我們的總厚度變化庫存中只有 1 微米的 TTV。
為了增加硅晶片的平整度，就是要對晶片的背面進(jìn)行拋光。雙面拋光有助于降低硅晶片表面的粗糙度。在制造需要超平面和低粗糙度規(guī)格的 MEMS 器件時，這是必須的。
除非另有說明，否則以下是 CZ 晶圓。晶圓是 SEMI prime，具有一個或兩個平面或缺口。總厚度變化為 <1 μm，弓形 <5μm，翹曲為 <10μm。所有晶圓均為 Prime 級，并裝在密封的硬塑料盒中運(yùn)輸。
| 項目 | 類型/Dop | Ori. | 直徑（mm） | 總噸位（μm） | Polish | 分辨率 Ωcm |
| 6971 | n 型 Si：P | [100-25° 朝向[110] ±1° | 6″ | 675 | DSP | 1-100 |
| S5594 系列 | P/B | [100] | 5″ | 990 ±8 | DSP | 1-25 |
| D868 系列 | P/B | [100] | 5″ | 590 | DSP | 1-30 |
| F709 系列 | n 型 Si：P | [100] | 5″ | 762 ±12 | DSP | 5-35 |
| S6284 系列 | n 型 Si：P | [100] ±1° | 4″ | 200 ±10 | DSP | 1,000 斐濟(jì)> |
| G706 系列 | 本征 Si：- | [100] | 4″ | 500 | DSP | FZ >20,000 |
| 6356 | 本征 Si：- | [100] | 4″ | 500 | DSP | FZ >20,000 |
| J302 系列 | P/B | [100] | 4″ | 600 | DSP | 1-50 |
| 7089 | P/B | [100] | 4″ | 381 ±7 | DSP | 0.014-0.021 |
| F022 系列 | P/B | [111] ±0.3° | 4″ | 350 ±5 | DSP | <0.05 |
| 6570 | n 型 Si：P | [100] | 4″ | 400 | DSP | 1-10 |
光學(xué)相干斷層掃描 （OCT） 是用于制造半導(dǎo)體元件的最重要工具之一。其精確的厚度測量使其能夠制造高質(zhì)量的硅晶片。該系統(tǒng)非常適合制造硅器件，例如高頻集成電路。它還有助于改進(jìn)制造工藝，對廣泛的工業(yè)應(yīng)用有效
雙面拋光硅片最重要的特性是其改進(jìn)的性能。其鏡面處理消除了表面的微粗糙和損傷，從而提高了效率并降低了污染風(fēng)險。該過程涉及幾個步驟，有助于確保高質(zhì)量和一致的表面處理。本文將概述雙面拋光的好處以及它如何使您的業(yè)務(wù)受益。對于半導(dǎo)體來說，這是一種經(jīng)濟(jì)高效的選擇。
雙面拋光硅片的主要優(yōu)勢是其優(yōu)秀的性能。晶片的兩面都經(jīng)過拋光至鏡面光潔度。因此，表面污染顯著減少。該工藝還可有效降低顆粒捕獲的風(fēng)險，而顆粒捕獲會導(dǎo)致性能不佳和效率低下。拋光工藝還使硅晶片比普通晶片更薄，從而形成單鑄錠制造方法。
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